射頻濺射ZnO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)

氧化鋅(ZnO)具有較寬的帶隙(3.1 eV)和較低的親合勢(3.0 eV),有可能用作薄膜場發(fā)射陰極中的電子傳輸層材料.本文主要研究了用射頻磁控濺射法制備ZnO薄膜時,襯底溫度和濺射氣氛對薄膜結(jié)晶狀況和電學(xué)性質(zhì)的影響.隨著襯底溫度的升高,薄膜結(jié)晶質(zhì)量得以改善,晶粒擇優(yōu)取向(002)晶向,晶粒大小為50～60 nm.濺射時通入一定比例的氧氣有助于提高薄膜的絕緣性和耐壓性.當(dāng)襯底溫度為180 ℃,濺射氣氛為Ar+O2(25%)時,ZnO擊穿場強(qiáng)為0.35 V/10 nm.

作 者： 黃靜華 李德杰   作者單位： 清華大學(xué)電子工程系,北京,100084  刊 名： 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(3)  分類號： O484.4  關(guān)鍵詞： ZnO薄膜   射頻濺射   場發(fā)射陰極  

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