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高能質(zhì)子單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的模擬計算
在分析質(zhì)子與硅反應(yīng)的基礎(chǔ)上,提出質(zhì)子單粒子翻轉(zhuǎn)截面理論計算模型,建立了模擬計算方法.計算得到了不同能量的高能質(zhì)子在存儲單元的靈敏區(qū)內(nèi)沉積的能量.指出高能質(zhì)子主要通過與硅反應(yīng)產(chǎn)生的重離子在存儲單元靈敏區(qū)內(nèi)沉積能量,產(chǎn)生電荷,導(dǎo)致單粒子效應(yīng),得到了單粒子翻轉(zhuǎn)截面與質(zhì)子能量以及隨臨界電荷變化的關(guān)系.并將計算得到的單粒子翻轉(zhuǎn)截面與實驗數(shù)據(jù)進行了比較.
作 者： 賀朝會 陳曉華 李國政 作者單位： 西北核技術(shù)研究所,陜西,西安,710024 刊 名： 計算物理 ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS 年，卷(期)： 2002 19(4) 分類號： O571.42 O242.1 關(guān)鍵詞： 質(zhì)子 單粒子翻轉(zhuǎn) Monte Carlo模擬【高能質(zhì)子單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的模擬計算】相關(guān)文章：
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