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ZnGa2O4納米晶的制備和結(jié)構(gòu)表征
采用噴射共沉淀法制備了ZnGa2O4納米晶.XRD、SEM和TEM結(jié)構(gòu)分析結(jié)果表明,噴射共沉淀法制備的Zn-Ga2O4納米晶顆粒細(xì)小均勻,形狀完整.與化學(xué)共沉淀法相比,粒子尺寸明顯減小,小于10nm,同時ZnO雜相峰消失.分析了噴射共沉淀法的機(jī)理,并對實驗結(jié)果進(jìn)行了解釋.
作 者: 焦正 劉錦淮 邊歷峰 錢逸泰 作者單位: 焦正,錢逸泰(中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)化學(xué)系,安徽,合肥,230061)劉錦淮,邊歷峰(中國科學(xué)院合肥智能機(jī)械研究所,安徽,合肥,230031)
刊 名: 功能材料 ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS 年,卷(期): 2002 33(6) 分類號: O647.11 關(guān)鍵詞: 化學(xué)共沉淀 納米晶 ZnGa2O4【ZnGa2O4納米晶的制備和結(jié)構(gòu)表征】相關(guān)文章:
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