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等離子體增強(qiáng)分子束外延生長(zhǎng)ZnO薄膜及光電特性的研究

時(shí)間:2023-04-29 16:58:36 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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等離子體增強(qiáng)分子束外延生長(zhǎng)ZnO薄膜及光電特性的研究

利用等離子體輔助分子束外延設(shè)備(P-MBE)在藍(lán)寶石(Al2O3)襯底上外延生長(zhǎng)ZnO薄膜,研究了不同生長(zhǎng)溫度對(duì)結(jié)晶質(zhì)量的影響.隨著生長(zhǎng)溫度的升高,X射線搖擺曲線(XRC)半高寬從0.88°變窄至 0.29°,從原子力顯微鏡(AFM)圖像中發(fā)現(xiàn)薄膜中晶粒從20nm左右增大至200nm,室溫光致發(fā)光(PL)譜中顯示了一個(gè)近帶邊的紫外光發(fā)射(UVE)和一個(gè)與深中心有關(guān)的可見光發(fā)射.隨著生長(zhǎng)溫度升高,可見光發(fā)射逐漸變?nèi)?薄膜的室溫載流子濃度由1.06×1019/cm3減少到7.66×1016/cm3,表明在高溫下生長(zhǎng)的薄膜中鋅氧化學(xué)計(jì)量比趨于平衡,高質(zhì)量的ZnO薄膜被獲得.通過測(cè)量變溫光譜,證實(shí)所有樣品在室溫下PL譜中紫外發(fā)光都來自于自由激子發(fā)射;隨著生長(zhǎng)溫度的變化UVE峰位藍(lán)移與晶粒尺寸不同引起的量子限域效應(yīng)相關(guān).

等離子體增強(qiáng)分子束外延生長(zhǎng)ZnO薄膜及光電特性的研究

作 者: 梁紅偉 呂有明 申德振 顏建鋒 劉益春 李炳輝 趙東旭 張吉英 范希武   作者單位: 中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所,激發(fā)態(tài)物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,長(zhǎng)春 130022  刊 名: 人工晶體學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年,卷(期): 2003 32(6)  分類號(hào): O782.9 TN304.21  關(guān)鍵詞: ZnO薄膜   等離子體增強(qiáng)分子束外延   光致發(fā)光   量子限域效應(yīng)   X射線搖擺曲線  

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