電源對介質(zhì)阻擋放電(DBD)激發(fā)準(zhǔn)分子(XeCl*)輻射的影響

本文對電源參數(shù)如電壓幅值、頻率及正負(fù)電壓對介質(zhì)阻擋放電激發(fā)準(zhǔn)分子XeCl*紫外(308nm)輻射的影響進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究.結(jié)果表明,UV輻射隨電壓幅度的增加而增強(qiáng),但效率下降;提高頻率,增加了放電次數(shù),導(dǎo)致UV輻射的增強(qiáng);此外,在較高的頻率下,電壓上升沿變陡,使得電子獲得的能量主要用于原子的激發(fā)和電離.正、負(fù)電壓放電的不對稱源于電極結(jié)構(gòu)的不對稱而引起的放電過程的差異,負(fù)電壓內(nèi)電極可向放電管中饋入更多的能量;比較發(fā)光光譜可判斷生成準(zhǔn)分子的等離子體化學(xué)過程沒有明顯的差別.

作 者： 徐金洲 梁榮慶 任兆杏 程黎放 童惠君   作者單位： 徐金洲,梁榮慶,任兆杏(中國科學(xué)院等離子體物理研究所,合肥,230031)

程黎放,童惠君(江蘇蘇凈集團(tuán)凈化工程技術(shù)研究中心,蘇州,215008) 

刊 名： 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(5)  分類號： O434.2 TM923.322  關(guān)鍵詞： 介質(zhì)阻擋放電   微放電   準(zhǔn)分子XeCl*   紫外燈   電源  

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