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高分辨X射線衍射研究雜質(zhì)對晶體結(jié)構(gòu)完整性的影響

時(shí)間:2023-04-30 06:37:49 數(shù)理化學(xué)論文 我要投稿
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高分辨X射線衍射研究雜質(zhì)對晶體結(jié)構(gòu)完整性的影響

用水溶液生長晶體的方法生長出了不同摻雜的Sr(NO3)2晶體.用電子探針研究了雜質(zhì)在晶體中的分布情況.結(jié)果表明,雜質(zhì)在晶體中存在扇形分凝,其中Ba在{100}扇形區(qū)的含量大于{111}扇形區(qū),而Pb的分凝情況相反,在{111}扇形區(qū)的含量大于{100}扇形區(qū).用高分辨X射線衍射搖擺曲線技術(shù)研究了純的、摻Ba的和摻Pb的Sr(NO3)2晶體的完整性情況,并用X射線衍射動(dòng)力學(xué)理論計(jì)算了完整Sr(NO3)2晶體的高分辨X射線衍射搖擺曲線.結(jié)果表明純Sr(NO3)2晶體的完整性很高,在扇形區(qū)內(nèi)的搖擺曲線與理論計(jì)算結(jié)果很接近,但在扇形區(qū)的邊界由于應(yīng)力的存在而使得完整性有所降低.摻雜會(huì)降低Sr(NO3)2晶體的質(zhì)量,并使得晶體完整性在不同的生長扇形區(qū)不一致.摻Ba的Sr(NO3)2晶體,其結(jié)構(gòu)完整性在{111}生長扇形區(qū)比{100}生長扇形區(qū)高,而摻Pb的Sr(NO3)2晶體則相反,{100}生長扇形區(qū)的質(zhì)量高于{111}生長扇形區(qū),這與它們的扇形分凝特征一致.

高分辨X射線衍射研究雜質(zhì)對晶體結(jié)構(gòu)完整性的影響

作 者: 李超榮 吳立軍 陳萬春   作者單位: 李超榮,陳萬春(中國科學(xué)院國家微重力實(shí)驗(yàn)室,北京,100080;中國科學(xué)院物理研究所,北京,100080)

吳立軍(中國科學(xué)院物理研究所,北京,100080) 

刊 名: 物理學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名: ACTA PHYSICA SINICA  年,卷(期): 2001 50(11)  分類號: O4  關(guān)鍵詞: 高分辨X射線衍射   雜質(zhì)   水溶液晶體生長  

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