氯離子對銅在玻碳電極上電結晶的影響

采用線性掃描伏安法和計時安培法研究了硫酸銅溶液中銅在玻碳電極上電結晶的初期行為.在含與不含氯離子的0.05 mol@L-1CuSO4-0.5 mol@L-1H2SO4電解液中,循環(huán)伏安實驗結果表明銅在玻碳基體上的沉積沒有經(jīng)過UPD過程;氯離子明顯使Cu的沉積和氧化峰變得尖銳,促進Cu的沉積速度.計時安培實驗結果表明,Cu的電結晶按瞬時成核和三維生長方式進行.氯離子不改變Cu的電結晶機理,但在I～t曲線中,導致電流達最大(Im)所需的時間tm減小、晶核數(shù)密度和生長速度增大,從而明顯改變Cu沉積層的質(zhì)量.當Cl-濃度在10～20mg@L-1范圍內(nèi),成核的晶核數(shù)密度達較大,即氯離子的最適宜添加量.

作 者： 辜敏 楊防祖 黃令 姚士冰 周紹民   作者單位： 辜敏(汕頭大學化學系,汕頭,515063;廈門大學化學系固體表面物理化學國家重點實驗室,廈門,361005)

楊防祖,黃令,姚士冰,周紹民(廈門大學化學系固體表面物理化學國家重點實驗室,廈門,361005) 

刊 名： 化學學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA CHIMICA SINICA  年，卷(期)： 2002 60(11)  分類號： O6  關鍵詞： 銅   氯離子   玻碳   電結晶  

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