Yb:YAG晶體的可見(jiàn)熒光及其機(jī)理研究

在半導(dǎo)體InGaAs激光激發(fā)Yb:YAG晶體的熒光中,有一組位于460～494 nm的可見(jiàn)熒光.分析了這些可見(jiàn)熒光產(chǎn)生的原因,指出它不同于紅外熒光的發(fā)光機(jī)理,是一種離子對(duì)的合作吸收和發(fā)射.兩個(gè)離子耦合成的離子對(duì)產(chǎn)生的可見(jiàn)熒光,其強(qiáng)度隨激發(fā)功率的平方變化.提高晶體中離子對(duì)的密度,可見(jiàn)熒光可以得到增強(qiáng).

作 者： 史全林 杜榮建 田乃良   作者單位： 史全林(長(zhǎng)春理工大學(xué)高功率半導(dǎo)體激光國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,吉林,長(zhǎng)春,130022)

杜榮建,田乃良(天津理工學(xué)院光電信息與電子工程系,天津,300191) 

刊 名： 光電子·激光  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF OPTOELECTRONICS·LASER  年，卷(期)： 2003 14(8)  分類號(hào)： O431.2  關(guān)鍵詞： Yb:YAG晶體   可見(jiàn)熒光   離子對(duì)   機(jī)理  

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