室溫下制備的ZnO/Ag/ZnO多層膜的性能

采用射頻磁控濺射ZnO陶瓷靶、直流磁控濺射Ag靶的方法在室溫下制備了不同厚度的ZnO/Ag/ZnO多層膜.對樣品進(jìn)行了研究.結(jié)果表明:隨著Ag層厚度的增加,ZnO(002)衍射峰的強(qiáng)度先增加后減小,Ag(111)衍射峰的強(qiáng)度增強(qiáng),ZnO/Ag/ZnO多層膜的面電阻先減小后趨于穩(wěn)定.ZnO膜厚度增加,Ag膜易形成晶狀結(jié)構(gòu),ZnO/Ag/ZnO多層膜的透射峰向長波方向移動.ZnO(60 nm)/Ag(11 nm)/ZnO(60 nm)膜在554 nm處的透過率高達(dá)92.3%,面電阻為4.2 Ω/□,品質(zhì)常數(shù)ψГC最佳,約40×10-3/Ω.

作 者： 李俊 閆金良 胡振彥 孫學(xué)卿 LI Jun YAN Jin-liang Hu Zhen-yan SUN Xue-qing   作者單位： 魯東大學(xué),物理與電子工程學(xué)院,山東,煙臺,264025  刊 名： 電子元件與材料  ISTIC PKU 英文刊名： ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS  年，卷(期)： 2007 26(11)  分類號： O484.4  關(guān)鍵詞： 復(fù)合材料   磁控濺射   多層膜   光電性質(zhì)  

【室溫下制備的ZnO/Ag/ZnO多層膜的性能】相關(guān)文章：

Ag摻雜對ZnO薄膜的光電性能影響04-26

In摻雜納米ZnO殺菌性能的研究04-26

納米ZnO薄膜制備及液態(tài)源摻雜04-27

Ag-TiO2 復(fù)合膜的制備及光催化性能04-26

納米ZnO去除CH3 SH性能的研究04-26

射頻反應(yīng)濺射制備的ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性04-27

納米ZnO生長及性質(zhì)分析04-26

ZnO納米線陣列的定向生長、光致發(fā)光及場發(fā)射性能04-26

P-MBE制備氮摻雜p型ZnO中空穴的散射機(jī)制04-26

自持金剛石厚膜上沉積生長ZnO薄膜及發(fā)光特性04-26