FTIR和XPS對沸石合成特性及Cr(Ⅲ)去除機(jī)制的譜學(xué)表征

摘要：以粉煤灰為原料,采用優(yōu)化的水熱晶化法合成沸石,使用XRD,SEM和ξ電位分析沸石產(chǎn)品的組成特性,借助FTIR和XPS等揭示廢水中Cr(Ⅲ)的去除機(jī)制.合成產(chǎn)品主要為NaP1型沸石,在pH值8～12區(qū)間內(nèi),ξ電位由-8.72 mV降到-24.46 mV.準(zhǔn)二級方程和Langmuir等溫線對試驗(yàn)的擬合效果更好,理論飽和吸附量為33.557 0 mg·g-1.FTIR圖譜表明-OH和Si-O類官能團(tuán)在反應(yīng)過程中有重要貢獻(xiàn).XPS全譜發(fā)現(xiàn):結(jié)合能576.45 eV為Cr(2p3/2)的特征峰,揭示了吸附過程的有效性.吸附Cr(Ⅲ)后,沸石中Si-Si和Si-O對應(yīng)的結(jié)合能增加了0.25和0.60 eV,含Si官能團(tuán)可能與Cr(Ⅲ)發(fā)生了配位反應(yīng).O(1s)的結(jié)合能在反應(yīng)后變得更低.這些證據(jù)表明:沸石對Cr(Ⅲ)的去除過程是物理吸附和化學(xué)吸附共同作用的結(jié)果. 作者： 范春輝  馬宏瑞  花莉  王家宏  王海軍 Author： FAN Chun-hui  MA Hong-rui  HUA Li  WANG Jia-hong  WANG Hai-jun 作者單位： 陜西科技大學(xué)資源與環(huán)境學(xué)院,陜西西安,710021 期 刊： 光譜學(xué)與光譜分析   ISTICEISCIPKU Journal： Spectroscopy and Spectral Analysis 年，卷(期)： 2012, 32(2) 分類號： O657.3 X773 關(guān)鍵詞： 合成沸石    Cr(Ⅲ)    粉煤灰    FTIR    XPS    機(jī)標(biāo)分類號： TQ3 TE3 機(jī)標(biāo)關(guān)鍵詞： FTIR    XPS    合成沸石    合成特性    去除機(jī)制    譜學(xué)表征    飽和吸附量    結(jié)合能    吸附過程    官能團(tuán)    配位反應(yīng)    ξ電位    水熱晶化法    組成特性    物理吸附    擬合效果    化學(xué)吸附    共同作用    反應(yīng)過程    電位分析 基金項(xiàng)目： 國家自然科學(xué)基金，陜西省自然科學(xué)基金，陜西科技大學(xué)博士科研啟動基金 FTIR和XPS對沸石合成特性及Cr(Ⅲ)去除機(jī)制的譜學(xué)表征[期刊論文]  光譜學(xué)與光譜分析 --2012, 32(2)范春輝  馬宏瑞  花莉  王家宏  王海軍以粉煤灰為原料,采用優(yōu)化的水熱晶化法合成沸石,使用XRD,SEM和ξ電位分析沸石產(chǎn)品的組成特性,借助FTIR和XPS等揭示廢水中Cr(Ⅲ)的去除機(jī)制.合成產(chǎn)品主要為NaP1型沸石,在pH值8～12區(qū)間內(nèi),ξ電位由-8.72 mV降到-24.46 mV.準(zhǔn)二...

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