鎂摻雜對In2O3電導和氣敏性能的影響

用共沉淀法制備了Mg2+摻雜的In2O3納米粉,研究了鎂摻雜對In2O3電導和氣敏性能的影響.結果表明:MgO和In2O3間可形成有限固溶體In2-xMgxO3(0≤x≤0.40);MgIn×電離的空穴對材料導帶電子的湮滅,使摻鎂納米粉的電導變得很小;n(Mg2+):n(In3+)=1:2共沉淀物于900℃下熱處理4 h,用所得的納米粉制作的傳感器在320～370℃下,對45μmol/L C2H5OH的靈敏度達102.5,為相同濃度干擾氣體Petrol的12倍多.

作 者： 葛秀濤 倪受春   作者單位： 葛秀濤(滁州師范�？茖W校,化學系,滁州,239012)

倪受春(滁州師范�？茖W校,物理系,滁州,239012) 

刊 名： 化學物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS  年，卷(期)： 2002 15(2)  分類號： O649.4  關鍵詞： Mg2+   In2-xMgxO3   電導   酒敏傳感器  

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