快速熱退火和氫等離子體處理對富硅氧化硅薄膜微結(jié)構(gòu)與發(fā)光的影響

采用micro-Raman散射、傅里葉變換紅外吸收譜和光致發(fā)光譜研究了快速熱退火及氫等離子體處理對等離子體增強化學(xué)氣相沉積法200℃襯底溫度下生長的富硅氧化硅(SRSO)薄膜微結(jié)構(gòu)和發(fā)光的影響.研究發(fā)現(xiàn),在300-600℃范圍內(nèi)退火,SRSO薄膜中非晶硅和SiO x ∶H兩相之間的相分離程度隨退火溫度升高趨于減小;而在600-900℃范圍內(nèi)退火,其相分離程度隨退火溫度升高又趨于增大;同時發(fā)現(xiàn)SRSO薄膜發(fā)光先是隨退火溫度的升高顯著加強,然后在退火溫度達到和超過600℃后迅速減弱;發(fā)光峰位在300℃退火后藍(lán)移,此后隨退火溫度升高逐漸紅移.對不同溫度退火后的薄膜進行氫等離子體處理,發(fā)光強度不同程度有所增強,發(fā)光峰位有所移動,但不同溫度退火樣品發(fā)光增強的幅度和峰位移動的趨勢不同.分析認(rèn)為退火能夠引起薄膜中非晶硅顆粒尺度、顆粒表面結(jié)構(gòu)狀態(tài)以及氫的存在和分布等方面的變化.結(jié)果表明不僅顆粒的尺度大小,而且顆粒表面的結(jié)構(gòu)狀態(tài)都對非晶硅顆粒能帶結(jié)構(gòu)和光生載流子復(fù)合機理發(fā)揮重要影響.

作 者： 王永謙 陳維德 陳長勇 刁宏偉 張世斌 徐艷月 孔光臨 廖顯伯   作者單位： 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,凝聚態(tài)物理中心,表面物理國家重點實驗室,北京,100083  刊 名： 物理學(xué)報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(7)  分類號： O4  關(guān)鍵詞： 富硅氧化硅   微結(jié)構(gòu)   發(fā)光   快速熱退火  

【快速熱退火和氫等離子體處理對富硅氧化硅薄膜微結(jié)構(gòu)與發(fā)光的影響】相關(guān)文章：

納米硅鑲嵌復(fù)合薄膜退火前后的微結(jié)構(gòu)及發(fā)光特性研究04-26

ZnO:V薄膜后退火處理前后的微結(jié)構(gòu)與發(fā)光特性04-29

含納米硅和納米鍺的氧化硅薄膜光致發(fā)光的比較研究?04-27

摻磷納米硅薄膜的微結(jié)構(gòu)04-29

Nd摻雜對ZnSe薄膜微結(jié)構(gòu)的影響04-28

生長條件和退火對金剛石薄膜光學(xué)性質(zhì)的影響04-29

脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究04-26

氣相CdCl2退火對CdTe多晶薄膜性能的影響04-26

摻雜納米硅薄膜的生長特性04-29

熱處理對氧化鎢薄膜結(jié)構(gòu)和電致變色性能的影響04-26