Ag納米顆粒對(duì)富Ag二氧化硅薄膜電致發(fā)光譜的影響

摘要：利用磁控濺射和熱退火在硅襯底上制備了Ag納米顆粒鑲嵌的氧化硅薄膜(SiO2∶ Ag),制作了電致發(fā)光結(jié)構(gòu)ITO/SiO2∶Ag/p-Si,觀測(cè)到了可見(jiàn)區(qū)的電致發(fā)光.發(fā)現(xiàn)薄膜中的Ag納米顆粒不僅成倍地提高器件的發(fā)光強(qiáng)度,還明顯地移動(dòng)電致發(fā)光的峰位.Ag含量越高,顆粒越大,發(fā)光峰位越紅移.氧化硅中的發(fā)光中心與納米Ag間的電磁相互作用,可用來(lái)定性解釋這一實(shí)驗(yàn)結(jié)果.這種效應(yīng)可把低效發(fā)光的材料轉(zhuǎn)換為相對(duì)高效的發(fā)光材料. 作者： 冉廣照文杰尤力平徐萬(wàn)勁 Author： RAN Guang-zhao  WEN Jie  YOU Li-ping  XU Wan-jin 作者單位： 人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京大學(xué)物理學(xué)院,北京100871 期 刊： 光譜學(xué)與光譜分析   ISTICEISCIPKU Journal： Spectroscopy and Spectral Analysis 年，卷(期)： 2011, 31(9) 分類(lèi)號(hào)： O482.3 關(guān)鍵詞： 電致發(fā)光    Ag納米顆粒    局域表面等離激元    機(jī)標(biāo)分類(lèi)號(hào)： O43 TN2 機(jī)標(biāo)關(guān)鍵詞： 納米顆粒    二氧化硅薄膜    電致發(fā)光譜    電磁相互作用    實(shí)驗(yàn)結(jié)果    發(fā)光中心    發(fā)光強(qiáng)度    發(fā)光結(jié)構(gòu)    發(fā)光峰位    發(fā)光材料    定性解釋    磁控濺射    SiO2    熱退火    硅襯底    轉(zhuǎn)換    制作    制備    移動(dòng)    效應(yīng) 基金項(xiàng)目： 國(guó)家自然科學(xué)基金，國(guó)家(973計(jì)劃)項(xiàng)目

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