電沉積條件對(duì)ITO/TiO2/CdS薄膜光電性能的影響

采用電沉積方法,以ITO/TiO2薄膜為基底,在水體系中成功制備出ITO/TiO2/CdS復(fù)合半導(dǎo)體薄膜,通過光電流作用譜考查了該薄膜電極的光電性能.實(shí)驗(yàn)表明,電鍍液的組成、實(shí)驗(yàn)溫度可影響薄膜中CdS納米粒子的生長(zhǎng),從而使不同條件獲得的復(fù)合薄膜電極的光電轉(zhuǎn)換效率不同,實(shí)驗(yàn)溫度為40℃、電鍍液的組成為CCd2+=0.02 mol·L-1,CS2O23-=0.10 mol·L-1,pH=2.0條件下沉積所得的ITO/TiO2/CdS薄膜電極,在400nm～500nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有較強(qiáng)的光吸收,也有較高的光電轉(zhuǎn)換效率.

作 者： 池玉娟 付宏剛 張恒彬 潘凱 齊樂輝 Chi Yu-juan Fu Hong-gang Zhang Heng-bin Pan Kai Qi Le-hui   作者單位： 池玉娟,付宏剛,Chi Yu-juan,Fu Hong-gang(哈爾濱工業(yè)大學(xué),應(yīng)用化學(xué)系,哈爾濱,150001)

張恒彬,潘凱,齊樂輝,Zhang Heng-bin,Pan Kai,Qi Le-hui(黑龍江大學(xué),化學(xué)化工與材料學(xué)院,哈爾濱,150080) 

刊 名： 黑龍江大學(xué)自然科學(xué)學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF NATURAL SCIENCE OF HEILONGJIANG UNIVERSITY  年，卷(期)： 2007 24(6)  分類號(hào)： O644  關(guān)鍵詞： 電沉積   硫化鎘   復(fù)合薄膜   光電性能  

《電沉積條件對(duì)ITO/TiO2/CdS薄膜光電性能的影響.doc》

将本文的Word文档下载到电脑，方便收藏和打印

推荐度：

点击下载文档

【電沉積條件對(duì)ITO/TiO2/CdS薄膜光電性能的影響】相關(guān)文章：

銦錫氧化程度對(duì)ITO薄膜光電特性的影響04-27

Ag摻雜對(duì)ZnO薄膜的光電性能影響04-26

焙燒溫度對(duì)TiO2薄膜的光催化氧化性能的影響04-29

低壓MOCVD生長(zhǎng)TiO2薄膜結(jié)構(gòu)和電性能研究04-29

沉積液配比和沉積時(shí)間對(duì)TiO2薄膜光催化凈化H2S的影響04-26

V2O5摻雜對(duì)TiO2納米復(fù)合薄膜性能的影響04-26

Ti/TiO2多層膜的光電性能研究04-28

柔性ITO襯底電化學(xué)沉積制備Cu/Cu2O薄膜04-29

襯底溫度對(duì)沉積的NiTi薄膜晶化行為的影響04-28

熱處理對(duì)氧化鎢薄膜結(jié)構(gòu)和電致變色性能的影響04-26